首页 > 文档云仓 > 行业研究 | 企业研究 > 化工化学|新材料 > 碳化硅行业深度报告:乘新能源之风,行业需求有望高增
【报告导读】碳化硅是第三代半导体重要基础材料,衬底是产业链最核心环节:SiC是由碳元素和硅元素组成的一种 化合物半导体材料,SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力 强等特性,相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等优势。SiC产业链主要包括 衬底、外延、器件制造及下游应用四大环节。
需求端:电动车技术升级拉动市场扩容,低耗优势契合能源发展潮流:目前SiC主要应用于汽车、能 工业、交通运输、通信等领域,主要产品形式有电动车逆变器、车载充电器、 DC/DC变换器、充电装 置、光电能量转换器和铁路。行业市场空间方面,根据Yole预测,2021年到2027年,SiC器件市场规模 将由10.9亿美元增长至63.0亿美元,CAGR将超过34%。目前多个整车厂例如特斯拉,比亚迪,蔚来等 车企搭载SiC模块,800V平台的应用能够大幅提高电动汽车的充电效率,提升续航里程。未来SiC在新 能源汽车渗透率有望持续提升。
供给端:衬底成制造工艺关键点,国内厂商加速崛起:碳化硅产业链中,衬底材料是产业链的基础, 产业链价值占比达46%,处于核心地位。从SiC晶圆成本来看,衬底成本占比44%,良率损失占比32%, 提高良率是SiC降本的核心。SiC衬底竞争格局方面,Wolfspeed占据了45%市场份额,Rohm排名占据 20%市场份额,国内天科合达和山东天岳分别占据5%和3%市场份额。SiC器件竞争格局方面,ST占据 40%市场份额,英飞凌占据22%市场份额。海外大厂大力扩产占据主要市场,而国内厂商正加速布局, 国产化率有望持续提升。
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