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通信行业碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，国产崛起机遇已至（37页）.pdf
举报与投诉【报告导读】碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅 衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点， 具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。
产业链价值高地，产能释放最关键环节。衬底是碳化硅产业链的核心，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、 前段分别占比47%、23%、19%。我们认为，衬底环节是产业链的价值高地，而衬底行业的发展也是未来碳化硅产 业降本、大规模产业化的主要驱动力。
产能迭代升级，需求起量在即，国产厂商正崛起。目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。 国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。山西烁科为首家宣布可制备8英寸SiC衬底。2021年8 月，山西烁科研制出8英寸碳化硅晶体。2022年1月，公司实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截至2022年11 月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。我们认为，随着国内衬底产品日益成 熟、扩产进度逐渐加速，中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。
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青云豆
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