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氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到 3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为
摘要：1.公司坚持自主研发，产品结构进一步优化，盈利质量大幅提升；2.下游需求持续旺盛，产能利用率提升助推毛利率创新高；3.第三代半导体材料研产顺利，碳化硅(SiC）和氮化镓(GaN)齐头并进。
摘要：1.第三代半导体大势所趋， 新能源汽车为其带来巨大增量；2.国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强；3.国内厂商碳化硅衬底产品均以4英寸为主，6英寸正在逐步实现量产。
报告摘要：半导体行业，素有“一代材料、一代技术、一代产业”之说。一代是硅，第二代是砷化镓，而今天我们要研究的，是第三代半导体产业链。
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