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金属新材料行业专题报告：氮化镓，第三代半导体后起之秀，下游渗透潜力巨大（17页）.pdf
举报与投诉【报告导读】氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到 3.4eV。 更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优 的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着 5G 通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能 要求，有望放量提价。
氮化镓衬底制备技术正不断突破，或成降本增效关键点
目前 GaN 单晶衬底以 2-3 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸样本正开发。 GaN 体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法、氨热法，以及助熔剂法；利用 各生长方法优势互补有望解决单一生长方法存在的问题，进而提升 GaN 晶体质 量、降低成本及推动规模量产。
射频电子领域、电力电子领域以及光电子领域为 GaN 主要应用方向
GaN 是目前能同时实现高频、高效、大功率的代表性器件，在 5G 基站、新能源 充电桩等新基建代表中均有所应用。GaN 器件是支撑“新基建”建设的关键核心 部件，有助于“双碳”目标实现，推动绿色低碳发展。
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青云豆
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