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氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。
第三代半导体-GaN技术洞察发布版202112.pdf